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大陆开发出22nm制程 提高集成电路技术

信息来源:iiiccc.com  时间:2012-12-24  浏览次数:1344

    据大陆新华社报导,大陆已在集成电路22纳米关键技术研发上获得进展,将有助于提升大陆自主生产制造质优价廉的集成电路产品的能力。
    22纳米集成电路技术是全球正在研发的最新一代制造工艺。过去大陆的集成电路制造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品开发,在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。
    大陆「中国科学院微电子研究所」经过三年多努力,摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料,采用了高K材料、金属栅材料等新材料,研制出性能良好的器件,达到世界一流技术水平。这一技术将使集成电路产品的功能更多样化,速度更快,成本也更低。
    在台湾的大厂台积电,20纳米制程已经在投片测试;16纳米研发时程也比预期更快,预估明年底试产,后年初即可开始放量。
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