集成电路创新技术的发展趋势是什么？2019浦江创新论坛•未来（科学）论坛2将于5月26日在上海东郊宾馆举行，由复旦大学承办的本届论坛以“新一代集成电路技术”为主题，旨在汇聚世界顶尖科学家，研判集成电路先进技术节点迎来的颠覆性技术变革趋势，以此推动我国半导体领域的创新发展，为长三角集成电路一体化建设、上海科创中心建设建言献策。
中科院院士、复旦大学校长许宁生，中国工程院院士许居衍，中科院院士、中科院微电子器件与集成技术重点实验室主任刘明等重量级嘉宾将出席论坛并发表演讲。
教育部长江学者特聘教授、复旦大学微电子学院执行院长张卫介绍，集成电路产业已有60年左右历史，一直处于高速发展状态。截至目前，摩尔定律依然有效，这个由英特尔创始人戈登•摩尔提出的预言是：在价格不变的情况下，集成电路上可容纳的元器件数目和性能，每隔18—24个月会增加或提升1倍。然而，随着芯片集成度越来越高，科技界、产业界面临的技术挑战越来越大。比如22纳米技术节点，平面晶体管已跨越升级为FinFET（鳍式场效应晶体管），这是一种立体结构的晶体管，Fin的意思是鱼鳍，因为这种晶体管的形状与鱼鳍相似。
“虽然FinFET较平面晶体管有更好的器件特性，但未来集成电路技术发展到5纳米技术节点时，它的性能也会变差，很可能被环栅晶体管取代。”张卫说，因此需要研发环栅晶体管、隧穿晶体管、负电容晶体管等新一代器件，采用新技术、新工艺或新材料，进一步提升晶体管的性能和密度。这个领域的颠覆性技术变革路径，是浦江创新论坛•未来（科学）论坛2探讨的重点之一。目前，芯片三维集成技术、二维材料都是可期的创新发展路径。
一名研究人员向记者展示光子集成芯片。新华社 发
张卫表示，存储器也是本届专题论坛探讨的一个重点领域。在非挥发存储器上，科技界和产业界正在研发阻变存储器、相变存储器、磁存储器等，以求突破现有闪存的性能。动态随机存储器（DRAM）是目前市场上最大的单一芯片产品，2018年全球市场超过1000亿美元。然而近年来DRAM芯片技术由于受到电容瓶颈的制约，一直徘徊在19纳米节点。如何打破DRAM芯片技术的电容瓶颈，实现其跨越发展？“通过未来（科学）论坛，我们希望促进产学研合作，让高校、科研院所与工业界更紧密地协同创新，共同推动我国集成电路技术的创新发展。”
长三角地区是我国集成电路技术最先进、产业链最完整的区域，如何对接国家战略发挥一体化发展优势？这同样需要企业、高校、科研院所的通力合作。本届论坛将为这种合作搭建一个高层次平台。
